2SB1558B Todos los transistores

 

2SB1558B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1558B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 170 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 9
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB1558B Datasheet (PDF)

 7.1. Size:184K  toshiba
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2SB1558B

 7.2. Size:155K  jmnic
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2SB1558B

JMnic Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors 2SB1558 DESCRIPTION With TO-3PI package Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS For power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PI) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER COND

 7.3. Size:237K  inchange semiconductor
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2SB1558B

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1558DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 5000(Min)@I = -7AFE CLow-Collector Saturation Voltage-: V = -2.5V(Max.)@I = -7ACE(sat) CComplement to Type 2SD2387Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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History: 2SA557 | BUL128D-B | 2SA325 | 2N110 | 2SB903 | BCW64A

 

 
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