2SB1558B - описание и поиск аналогов

 

2SB1558B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1558B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9

Корпус транзистора: TO264

 Аналоги (замена) для 2SB1558B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1558B даташит

 7.1. Size:184K  toshiba
 2sb1558.pdf pdf_icon

2SB1558B

 7.2. Size:155K  jmnic
 2sb1558.pdf pdf_icon

2SB1558B

JMnic Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors 2SB1558 DESCRIPTION With TO-3PI package Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS For power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PI) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER COND

 7.3. Size:237K  inchange semiconductor
 2sb1558.pdf pdf_icon

2SB1558B

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1558 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 5000(Min)@I = -7A FE C Low-Collector Saturation Voltage- V = -2.5V(Max.)@I = -7A CE(sat) C Complement to Type 2SD2387 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1556B, 2SB1556C, 2SB1557, 2SB1557A, 2SB1557B, 2SB1557C, 2SB1558, 2SB1558A, TIP41, 2SB1558C, 2SB1559, 2SB156, 2SB1560, 2SB1562, 2SB156A, 2SB157, 2SB1570

 

 

 

 

↑ Back to Top
.