Справочник IGBT. SKM75GDL123D

 

SKM75GDL123D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GDL123D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM75GDL123D

 

 

SKM75GDL123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  semikron
skm75gdl123d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

 7.1. Size:684K  semikron
skm75gd123d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

 7.2. Size:139K  semikron
skm75gd124d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 75 GD 124 DIC Tcase = 25/60 C 90 / 75 AICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 180 / 150 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 390 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fclimate DIN IEC 68 T

 8.1. Size:786K  semikron
skm75gb063d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

 8.2. Size:456K  semikron
skm75gb12t4.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

SKM75GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 115 ATj = 175 CTc =80C 88 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12T4Tc =80C 73 A

 8.3. Size:489K  semikron
skm75gb12v.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

SKM75GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 114 ATj = 175 CTc =80C 87 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12VTc =80C 73 AIFnom 75 A

 8.4. Size:786K  semikron
skm75gar063d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

 8.5. Size:786K  semikron
skm75gal063d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

 8.6. Size:592K  semikron
skm75gb124d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

 8.7. Size:538K  semikron
skm75gb123d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

 8.8. Size:545K  semikron
skm75gb173d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

 8.9. Size:744K  semikron
skm75gb176d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

 8.10. Size:538K  semikron
skm75gal123d.pdf

SKM75GDL123D
SKM75GDL123D

Другие IGBT... SKM75GAL123D , BRG60N65D , SKM75GB063D , SKM75GB123D , SKM75GB124D , SKM75GB173D , SKM75GD123D , SKM75GD124D , FGH75T65UPD , SM2G100US120 , SM2G100US60 , SM2G150US120 , SM2G150US60 , SM2G200US120 , SM2G200US60 , SM2G300US60 , SM2G400US60 .

 

 
Back to Top