Справочник IGBT. SKM75GDL123D

 

SKM75GDL123D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GDL123D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM75GDL123D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GDL123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  semikron
 skm75gdl123d.pdf pdf_icon

SKM75GDL123D

 7.1. Size:684K  semikron
 skm75gd123d.pdf pdf_icon

SKM75GDL123D

 7.2. Size:139K  semikron
 skm75gd124d.pdf pdf_icon

SKM75GDL123D

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 75 GD 124 DIC Tcase = 25/60 C 90 / 75 AICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 180 / 150 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 390 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fclimate DIN IEC 68 T

 8.1. Size:786K  semikron
 skm75gb063d.pdf pdf_icon

SKM75GDL123D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM75GAL123D , BRG60N65D , SKM75GB063D , SKM75GB123D , SKM75GB124D , SKM75GB173D , SKM75GD123D , SKM75GD124D , GT30G122 , SM2G100US120 , SM2G100US60 , SM2G150US120 , SM2G150US60 , SM2G200US120 , SM2G200US60 , SM2G300US60 , SM2G400US60 .

History: IXXK200N60C3 | 2MBI300P-140 | 2MBI150N-060 | FGD3245G2-F085C | MPBP15N65EF | SPT50N65F1A | 1MBH50D-060

 

 
Back to Top

 


 
.