FGA20N120FTD - аналоги и описание IGBT

 

FGA20N120FTD - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: FGA20N120FTD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 79 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FGA20N120FTD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры FGA20N120FTD

 ..1. Size:715K  fairchild semi
 fga20n120ftd.pdf pdf_icon

FGA20N120FTD

December 2007 FGA20N120FTD tm 1200V, 20A Trench IGBT Features Field stop trench technology General Description High speed switching Using advanced field stop trench technology, Fairchild s 1200V Low saturation voltage VCE(sat) =1.6V @ IC = 20A trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedance mances, and easy parallel operation wi

 9.1. Size:780K  fairchild semi
 fga20s120m.pdf pdf_icon

FGA20N120FTD

April 2010 FGA20S120M tm TM 1200V, 20A ShortedAnode IGBT Features General Description High speed switching Using advanced Field Stop Trench and ShortedAnode technol- ogy, Fairchild s 1200V ShortedAnodeTM Trench IGBTs offer Low saturation voltage VCE(sat) =1.55V @ IC = 20A superior conduction and switching performances, and easy par- High input impedance allel operation

Другие IGBT... TA49119 , TA49121 , TA49123 , TA49182 , TA9895 , FGA15N120ANTDTU-F109 , FGA15N120FTD , FGA180N33ATD , AOK40B65H2AL , FGA20S120M , FGA25N120ANTD , FGA25N120ANTDTU-F109 , FGA25N120FTD , FGA30N120FTD , FGA30N60LSD , FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD .

 

 
Back to Top

 


 
.