FGA20N120FTD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGA20N120FTD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 298
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 79
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 95
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 137
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de FGA20N120FTD - IGBT
FGA20N120FTD Datasheet (PDF)
fga20n120ftd.pdf
December 2007FGA20N120FTDtm1200V, 20A Trench IGBTFeatures Field stop trench technologyGeneral Description High speed switchingUsing advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200V Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 20Atrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedancemances, and easy parallel operation wi
fga20s120m.pdf
April 2010FGA20S120MtmTM1200V, 20A ShortedAnode IGBTFeatures General Description High speed switching Using advanced Field Stop Trench and ShortedAnode technol-ogy, Fairchilds 1200V ShortedAnodeTM Trench IGBTs offer Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 20Asuperior conduction and switching performances, and easy par- High input impedanceallel operation
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Liste
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