Справочник IGBT. FGD3N60LSD

 

FGD3N60LSD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: FGD3N60LSD

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.2V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.0A

Корпус: TO252(DPAK)

Аналог (замена) для FGD3N60LSD

FGD3N60LSD Datasheet (PDF)

1.1. fgd3n60lsd.pdf Size:872K _fairchild_semi

FGD3N60LSD
FGD3N60LSD

September 2006 FGD3N60LSD tm IGBT Features Description High Current Capability Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provide very low conduction losses. The device is designed for applica- Very Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.2 V @ IC = 3A tions where very low On-Voltage Drop is a required feature. High Input Impedance Applications HID Lamp Applications

Другие IGBT... FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD , FGA90N33ATD , FGAF40N60UF , FGAF40N60UFD , FGB20N60SF , FGB20N60SFD , GT60M101 , FGD4536 , FGH20N60SFD , FGH20N60UFD , FGH25N120FTDS , FGH30N120FTD , FGH30N60LSD , FGH40N60SF , FGH40N60SFD .

 


FGD3N60LSD
  FGD3N60LSD
  FGD3N60LSD
  FGD3N60LSD
 
FGD3N60LSD
  FGD3N60LSD
  FGD3N60LSD
  FGD3N60LSD
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB | IGC70T120T6RL | SIGC05T60SNC |