Справочник IGBT. FGH25N120FTDS

 

FGH25N120FTDS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGH25N120FTDS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FGH25N120FTDS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  fairchild semi
 fgh25n120ftds.pdf pdf_icon

FGH25N120FTDS

June 2009tmFGH25N120FTDS1200V, 25A Field Stop Trench IGBTFeatures General Description High speed switching Using advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200Vtrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.60V @ IC = 25Amances, and easy parallel operation with exceptional avalanche High input impedanceru

 ..2. Size:442K  onsemi
 fgh25n120ftds.pdf pdf_icon

FGH25N120FTDS

IGBT - Field Stop, Trench1200 V, 25 AFGH25N120FTDSDescriptionUsing advanced field stop trench technology, ON Semiconductors1200 V trench IGBTs offer the optimum performance for hardwww.onsemi.comswitching application such as solar inverter, UPS, welder and PFCapplications.CFeatures High Speed Switching Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.60 V @ IC = 25 AG

Другие IGBT... FGAF40N60UF , FGAF40N60UFD , FGB20N60SF , FGB20N60SFD , FGD3N60LSD , FGD4536 , FGH20N60SFD , FGH20N60UFD , IRG7S313U , FGH30N120FTD , FGH30N60LSD , FGH40N60SF , FGH40N60SFD , FGH40N60SMD , FGH40N60SMDF , FGH40N60UF , FGH40N60UFD .

History: TGAN25N120ND | IRG4ZC70UD | IRG4PSH71KD

 

 
Back to Top

 


 
.