FGH80N60FD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGH80N60FD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FGH80N60FD
FGH80N60FD Datasheet (PDF)
fgh80n60fd.pdf
November 2009FGH80N60FDtm600V, 80A Field Stop IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchilds new ses-ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Low saturation voltage: VCE(sat) =1.8V @ IC = 40AInduction Heating applications where low conduction and High input impedanceswitching losses ar
fgh80n60fd2.pdf
November FGH80N60FD2tm600V, 80A Field Stop IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchilds new ses-ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Low saturation voltage: VCE(sat) =1.8V @ IC = 40AInduction Heating applications where low conduction and High input impedanceswitching losses are e
fgh80n60fd2.pdf
IGBT - Field Stop600 V, 40 AFGH80N60FD2DescriptionUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors fieldstop IGBTs offer the optimum performance for induction heating andwww.onsemi.comPFC applications where low conduction and switching losses areessential.VCES ICFeatures600 V 40 A High Current Capability Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.8 V (Typ.)
Другие IGBT... FGH40N60UFD , FGH40N65UFD , FGH50N3 , FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , GT50JR22 , FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2