Справочник IGBT. FGH80N60FD

 

FGH80N60FD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGH80N60FD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FGH80N60FD

 

 

FGH80N60FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  fairchild semi
 fgh80n60fd.pdf

FGH80N60FD FGH80N60FD

November 2009FGH80N60FDtm600V, 80A Field Stop IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchilds new ses-ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Low saturation voltage: VCE(sat) =1.8V @ IC = 40AInduction Heating applications where low conduction and High input impedanceswitching losses ar

 0.1. Size:194K  fairchild semi
 fgh80n60fd2.pdf

FGH80N60FD FGH80N60FD

November FGH80N60FD2tm600V, 80A Field Stop IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchilds new ses-ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Low saturation voltage: VCE(sat) =1.8V @ IC = 40AInduction Heating applications where low conduction and High input impedanceswitching losses are e

 0.2. Size:404K  onsemi
 fgh80n60fd2.pdf

FGH80N60FD FGH80N60FD

IGBT - Field Stop600 V, 40 AFGH80N60FD2DescriptionUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors fieldstop IGBTs offer the optimum performance for induction heating andwww.onsemi.comPFC applications where low conduction and switching losses areessential.VCES ICFeatures600 V 40 A High Current Capability Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.8 V (Typ.)

Другие IGBT... FGH40N60UFD , FGH40N65UFD , FGH50N3 , FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGD4536 , FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 .

 

 
Back to Top