Аналоги FGH80N60FD. Основные параметры
Наименование: FGH80N60FD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FGH80N60FD
FGH80N60FD даташит
fgh80n60fd.pdf
November 2009 FGH80N60FD tm 600V, 80A Field Stop IGBT Features General Description High current capability Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild s new ses- ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Low saturation voltage VCE(sat) =1.8V @ IC = 40A Induction Heating applications where low conduction and High input impedance switching losses ar
fgh80n60fd2.pdf
November FGH80N60FD2 tm 600V, 80A Field Stop IGBT Features General Description High current capability Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild s new ses- ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Low saturation voltage VCE(sat) =1.8V @ IC = 40A Induction Heating applications where low conduction and High input impedance switching losses are e
fgh80n60fd2.pdf
IGBT - Field Stop 600 V, 40 A FGH80N60FD2 Description Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating and www.onsemi.com PFC applications where low conduction and switching losses are essential. VCES IC Features 600 V 40 A High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.8 V (Typ.)
Другие IGBT... FGH40N60UFD , FGH40N65UFD , FGH50N3 , FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH60N60SMD , FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet




