Справочник IGBT. FGP20N60UFD

 

FGP20N60UFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGP20N60UFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 63 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FGP20N60UFD

 

 

FGP20N60UFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:740K  fairchild semi
 fgp20n60ufd.pdf

FGP20N60UFD FGP20N60UFD

October 2008FGP20N60UFDtm600V, 20A Field Stop IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchilds new seriesof Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Induction Low saturation voltage: VCE(sat) =1.8V @ IC = 20AHeating, UPS, SMPS and PFC applications where low conduc- High input impedancetion and s

 ..2. Size:483K  onsemi
 fgp20n60ufd.pdf

FGP20N60UFD FGP20N60UFD

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , SGT40N60NPFDPN , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD .

 

 
Back to Top