Справочник IGBT. FGP5N60LS

 

FGP5N60LS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGP5N60LS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1.6 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18.3 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FGP5N60LS

 

 

FGP5N60LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  fairchild semi
 fgp5n60ls.pdf

FGP5N60LS FGP5N60LS

February 2010FGP5N60LStm600V, 5A Field Stop IGBTFeatures General Description High Current Capability Using novel Field Stop IGBT Technology, Fairchilds new seriesof Field Stop IGBTs offer the optimum performance for HID bal- Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.7V @ IC = 5Alast where low conduction losses are essential. High Input Impedance RoHS CompliantAppl

 ..2. Size:393K  onsemi
 fgp5n60ls.pdf

FGP5N60LS FGP5N60LS

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , SGT50T65FD1PT , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF .

 

 
Back to Top