FGP5N60LS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FGP5N60LS  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1.6 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FGP5N60LS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGP5N60LS даташит

 ..1. Size:246K  fairchild semi
 fgp5n60ls.pdf pdf_icon

FGP5N60LS

February 2010 FGP5N60LS tm 600V, 5A Field Stop IGBT Features General Description High Current Capability Using novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild s new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for HID bal- Low Saturation Voltage VCE(sat) =1.7V @ IC = 5A last where low conduction losses are essential. High Input Impedance RoHS Compliant Appl

 ..2. Size:393K  onsemi
 fgp5n60ls.pdf pdf_icon

FGP5N60LS

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGH60N60SMD, FGH60N60UFD, FGH75N60UF, FGH80N60FD, FGH80N60FD2, FGL35N120FTD, FGL60N100BNTD, FGP20N60UFD, GT50JR22, FGPF4533, FGPF4536, FGPF4633, FGPF50N33BT, FGY75N60SMD, SGF23N60UF, SGP10N60RUFD, SGS5N150UF