Справочник IGBT. SGS5N150UF

 

SGS5N150UF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGS5N150UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 30 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SGS5N150UF

 

 

SGS5N150UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  fairchild semi
 sgs5n150uf.pdf

SGS5N150UF SGS5N150UF

IGBTSGS5N150UFGeneral Description FeaturesFairchilds Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) High Speed Switchingprovides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5ASGS5N150UF is designed for the Switching Power High Input ImpedanceSupply applications.ApplicationSwitching Power Supply - High Input Voltage Off-line Co

 9.1. Size:588K  1
 sgs5n60ruf.pdf

SGS5N150UF SGS5N150UF

April 2001 IGBTSGS5N60RUFShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10us @ TC = 100C, VGE = 15V(IGBTs) provide low conduction and switching losses as High speed switchingwell as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 5Ades

 9.2. Size:614K  fairchild semi
 sgs5n60rufd.pdf

SGS5N150UF SGS5N150UF

April 2001 IGBTSGS5N60RUFDShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar Short circuit rated 10us @ TC = 100C, VGE = 15VTransistors (IGBTs) provide low conduction and switching High speed switchinglosses as well as short circuit ruggedness. The RUFD Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 5Aseries is

Другие IGBT... FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , RJP63F3DPP-M0 , NGB15N41CL , NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N , NGB8204N , NGB8206AN , NGB8206N , NGB8207AN .

 

 
Back to Top