NGB15N41CL - аналоги и описание IGBT

 

NGB15N41CL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: NGB15N41CL
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 440 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NGB15N41CL

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры NGB15N41CL

 ..1. Size:167K  onsemi
 ngd15n41cl ngb15n41cl ngp15n41cl.pdf pdf_icon

NGB15N41CL

NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL Preferred Device Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts http //onsemi.com N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 15 AMPS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped 410 VOLTS protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses VCE(on) 3 2.1 V @ include I

 6.1. Size:146K  onsemi
 ngb15n41a.pdf pdf_icon

NGB15N41CL

NGD15N41CL, NGD15N41ACL, NGB15N41CL, NGB15N41ACL, NGP15N41CL, NGP15N41ACL http //onsemi.com Ignition IGBT 15 A, 410 V 15 AMPS N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 410 VOLTS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features VCE(on) 3 2.1 V @ monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary

Другие IGBT... FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , BT40T60ANF , NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N , NGB8204N , NGB8206AN , NGB8206N , NGB8207AN , NGB8207N .

 

 
Back to Top

 


 
.