NGB15N41CLT4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: NGB15N41CLT4

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 107

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 410

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15

Корпус: D2PAK-3

Аналог (замена) для NGB15N41CLT4

NGB15N41CLT4 Datasheet (PDF)

1.1. ngd15n41cl ngb15n41cl ngp15n41cl.pdf Size:167K _onsemi

NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL Preferred Device Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts http://onsemi.com N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 15 AMPS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped 410 VOLTS protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses VCE(on) 3 2.1 V @ include I

2.1. ngb15n41a.pdf Size:146K _onsemi

NGD15N41CL, NGD15N41ACL, NGB15N41CL, NGB15N41ACL, NGP15N41CL, NGP15N41ACL http://onsemi.com Ignition IGBT 15 A, 410 V 15 AMPS N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 410 VOLTS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features VCE(on) 3 2.1 V @ monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary

Другие IGBT... FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , IRG4PC40W , NGB18N40CLB , NGB8202A , NGB8202N , NGB8204N , NGB8206A , NGB8206N , NGB8207AN , NGB8207N .