Справочник IGBT. NGB15N41CL

 

NGB15N41CL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGB15N41CL
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 440 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.9 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NGB15N41CL

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGB15N41CL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  onsemi
 ngd15n41cl ngb15n41cl ngp15n41cl.pdf pdf_icon

NGB15N41CL

NGD15N41CL,NGB15N41CL,NGP15N41CLPreferred Device Ignition IGBT15 Amps, 410 Voltshttp://onsemi.comN-Channel DPAK, D2PAK and TO-22015 AMPSThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped410 VOLTSprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesVCE(on) 3 2.1 V @include I

 6.1. Size:146K  onsemi
 ngb15n41a.pdf pdf_icon

NGB15N41CL

NGD15N41CL,NGD15N41ACL,NGB15N41CL,NGB15N41ACL,NGP15N41CL,NGP15N41ACLhttp://onsemi.comIgnition IGBT 15 A, 410 V15 AMPSN-Channel DPAK, D2PAK and TO-220410 VOLTSThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresVCE(on) 3 2.1 V @monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary

Другие IGBT... FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , IRG7IC28U , NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N , NGB8204N , NGB8206AN , NGB8206N , NGB8207AN , NGB8207N .

 

 
Back to Top

 


 
.