NGB15N41CL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: NGB15N41CL  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 440 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для NGB15N41CL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGB15N41CL даташит

 ..1. Size:167K  onsemi
 ngd15n41cl ngb15n41cl ngp15n41cl.pdf pdf_icon

NGB15N41CL

NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL Preferred Device Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts http //onsemi.com N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 15 AMPS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped 410 VOLTS protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses VCE(on) 3 2.1 V @ include I

 6.1. Size:146K  onsemi
 ngb15n41a.pdf pdf_icon

NGB15N41CL

NGD15N41CL, NGD15N41ACL, NGB15N41CL, NGB15N41ACL, NGP15N41CL, NGP15N41ACL http //onsemi.com Ignition IGBT 15 A, 410 V 15 AMPS N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 410 VOLTS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features VCE(on) 3 2.1 V @ monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary

Другие IGBT... FGPF4533, FGPF4536, FGPF4633, FGPF50N33BT, FGY75N60SMD, SGF23N60UF, SGP10N60RUFD, SGS5N150UF, YGW40N65F1, NGB18N40CLB, NGB8202AN, NGB8202N, NGB8204N, NGB8206AN, NGB8206N, NGB8207AN, NGB8207N