Справочник IGBT. NGB18N40CLB

 

NGB18N40CLB Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGB18N40CLB
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 18 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NGB18N40CLB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  1
 ngb18n40clb.pdf pdf_icon

NGB18N40CLB

NGB18N40CLBT4Ignition IGBT18 Amps, 400 VoltsN-Channel D2PAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS, 400 VOLTShigh current swit

 6.1. Size:125K  onsemi
 ngb18n40a.pdf pdf_icon

NGB18N40CLB

NGB18N40CLB,NGB18N40ACLBIgnition IGBT18 Amps, 400 VoltsN-Channel D2PAKhttp://onsemi.comThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped18 AMPS, 400 VOLTSprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesVCE(on) 3 2.0 V @include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever hi

Другие IGBT... FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , NGB15N41CL , GT30F126 , NGB8202AN , NGB8202N , NGB8204N , NGB8206AN , NGB8206N , NGB8207AN , NGB8207N , NGD15N41CL .

History: SRE60N065FSUD6 | TGAN40S160FD | APT15GN120BDQ1G | GT40RR21 | NGTB40N60FL2 | RGTH00TS65D

 

 
Back to Top

 


 
.