NGB18N40CLB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: NGB18N40CLB  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 18 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для NGB18N40CLB

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGB18N40CLB даташит

 ..1. Size:87K  1
 ngb18n40clb.pdf pdf_icon

NGB18N40CLB

NGB18N40CLBT4 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts N-Channel D2PAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS, 400 VOLTS high current swit

 6.1. Size:125K  onsemi
 ngb18n40a.pdf pdf_icon

NGB18N40CLB

NGB18N40CLB, NGB18N40ACLB Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts N-Channel D2PAK http //onsemi.com This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped 18 AMPS, 400 VOLTS protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses VCE(on) 3 2.0 V @ include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever hi

Другие IGBT... FGPF4536, FGPF4633, FGPF50N33BT, FGY75N60SMD, SGF23N60UF, SGP10N60RUFD, SGS5N150UF, NGB15N41CL, FGA60N65SMD, NGB8202AN, NGB8202N, NGB8204N, NGB8206AN, NGB8206N, NGB8207AN, NGB8207N, NGD15N41CL