NGD18N40CLB - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги NGD18N40CLB. Основные параметры


   Наименование: NGD18N40CLB
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 18 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4500 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NGD18N40CLB

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGD18N40CLB даташит

 ..1. Size:126K  1
 ngd18n40clb.pdf pdf_icon

NGD18N40CLB

NGD18N40CLB, NGD18N40ACLB Ignition IGBT, 18 A, 400 V N-Channel DPAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS, 400 VOLTS high curren

 6.1. Size:126K  onsemi
 ngd18n40a.pdf pdf_icon

NGD18N40CLB

NGD18N40CLB, NGD18N40ACLB Ignition IGBT, 18 A, 400 V N-Channel DPAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS, 400 VOLTS high curren

 7.1. Size:132K  onsemi
 ngd18n45.pdf pdf_icon

NGD18N40CLB

NGD18N45CLB Ignition IGBT 18 Amps, 450 Volts N-Channel DPAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS high current switching is requ

 7.2. Size:132K  onsemi
 ngd18n45clbt4g.pdf pdf_icon

NGD18N40CLB

NGD18N45CLB Ignition IGBT 18 Amps, 450 Volts N-Channel DPAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS high current switching is requ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NGB8202AN , NGB8202N , NGB8204N , NGB8206AN , NGB8206N , NGB8207AN , NGB8207N , NGD15N41CL , G50T65D , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E .

History: NGP15N41CL | GT30J122

 

 

 


 
↑ Back to Top
.