NGD18N40CLB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: NGD18N40CLB
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 18 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.9 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 4500 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NGD18N40CLB
NGD18N40CLB Datasheet (PDF)
ngd18n40clb.pdf
NGD18N40CLB,NGD18N40ACLBIgnition IGBT, 18 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPS, 400 VOLTShigh curren
ngd18n40a.pdf
NGD18N40CLB,NGD18N40ACLBIgnition IGBT, 18 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPS, 400 VOLTShigh curren
ngd18n45.pdf
NGD18N45CLBIgnition IGBT18 Amps, 450 VoltsN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPShigh current switching is requ
ngd18n45clbt4g.pdf
NGD18N45CLBIgnition IGBT18 Amps, 450 VoltsN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPShigh current switching is requ
Другие IGBT... NGB8202AN , NGB8202N , NGB8204N , NGB8206AN , NGB8206N , NGB8207AN , NGB8207N , NGD15N41CL , MBQ50T65FDSC , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2