Справочник IGBT. IXBF12N300

 

IXBF12N300 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBF12N300
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 22 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 62 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK

 Аналог (замена) для IXBF12N300

 

 

IXBF12N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  ixys
 ixbf12n300.pdf

IXBF12N300 IXBF12N300

Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF12N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 12ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 V1VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V2VGES Continuous 20 V5VGEM Transie

 9.1. Size:228K  ixys
 ixbf10n300c.pdf

IXBF12N300 IXBF12N300

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3000VIXBF10N300CHigh Frequency,IC110 = 10ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 6.0VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMmbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transi

 9.2. Size:196K  ixys
 ixbf14n300.pdf

IXBF12N300 IXBF12N300

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF14N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 14ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient

 9.3. Size:227K  ixys
 ixbf15n300c.pdf

IXBF12N300 IXBF12N300

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3000VIXBF15N300CHigh Frequency,IC110 = 15ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 6.0VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Tran

Другие IGBT... IXA27IF1200HJ , IXA30PG1200DHGLB , IXA33IF1200HB , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IRGP4066D , IXBF20N300 , IXBF32N300 , IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , IXBF9N160G , IXBH10N170 , IXBH12N300 .

 

 
Back to Top