Справочник IGBT. IXBH40N160

 

IXBH40N160 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBH40N160
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 6.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 130 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXBH40N160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  ixys
 ixbh40n160.pdf pdf_icon

IXBH40N160

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 40N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 40N160 IC25 = 33 AMOS Transistor VCE(sat) = 6.2 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features40N140 40N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 140

 6.1. Size:60K  ixys
 ixbh40n140.pdf pdf_icon

IXBH40N160

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 40N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 40N160 IC25 = 33 AMOS Transistor VCE(sat) = 6.2 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features40N140 40N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 140

 6.2. Size:61K  ixys
 ixbh40n140-160.pdf pdf_icon

IXBH40N160

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 40N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 40N160 IC25 = 33 AMOS Transistor VCE(sat) = 6.2 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features40N140 40N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 140

 9.1. Size:206K  ixys
 ixbh42n250.pdf pdf_icon

IXBH40N160

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 2500VIXBH42N250BIMOSFETTM MonolithicIC110 = 42ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.0VTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 2500 VGC TabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VEVGES Continuous 25 VG = Gate C = CollectorVGEM Transient 35

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A , IXBH20N300 , IXBH24N170 , IXBH28N170A , IXBH2N250 , IXBH32N300 , GT30J122 , IXBH42N170 , IXBH42N170A , IXBH5N160G , IXBH6N170 , IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 .

History: APT40GP60J | XD040Q120AT1S3 | SKM50GAL12T4 | IXGT6N170AHV | 2MBI150VA-120-50 | APTGT100A120D1 | 2MBI150PC-140

 

 
Back to Top

 


 
.