IXBT24N170 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBT24N170

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 163 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXBT24N170

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBT24N170 даташит

 ..1. Size:179K  ixys
 ixbh24n170 ixbt24n170.pdf pdf_icon

IXBT24N170

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBH24N170 BIMOSFETTM Monolithic IXBT24N170 IC110 = 24A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 2.5V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G VGES Continuous 20 V C C (TAB) E VGEM Transient 30 V IC

 ..2. Size:177K  ixys
 ixbt24n170.pdf pdf_icon

IXBT24N170

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBH24N170 BIMOSFETTM Monolithic IXBT24N170 IC110 = 24A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 2.5V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G VGES Continuous 20 V C C (TAB) E VGEM Transient 30 V IC

 9.1. Size:180K  ixys
 ixbt2n250.pdf pdf_icon

IXBT24N170

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 2500V IXBH2N250 BIMOSFETTM IXBT2N250 IC110 = 2A VCE(sat) 3.50V Monolithic Bipolar MOS Transistor TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V G C (TAB) C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V IC

 9.2. Size:174K  ixys
 ixbt20n300.pdf pdf_icon

IXBT24N170

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBH20N300 BIMOSFETTM Monolithic IXBT20N300 IC110 = 20A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXBN75N170A, IXBP5N160G, IXBR42N170, IXBT10N170, IXBT12N300, IXBT16N170, IXBT16N170A, IXBT20N300, IRGB20B60PD1, IXBT28N170A, IXBT2N250, IXBT32N300, IXBT42N170, IXBT42N170A, IXBT6N170, IXBX25N250, IXBX55N300