IXGA30N120B3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXGA30N120B3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.96 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXGA30N120B3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA30N120B3 даташит

 ..1. Size:209K  ixys
 ixga30n120b3.pdf pdf_icon

IXGA30N120B3

VCES = 1200V GenX3TM 1200V IXGA30N120B3 IC110 = 30A IGBTs IXGP30N120B3 VCE(sat) 3.5V IXGH30N120B3 tfi(typ) = 204ns High-Speed Low-Vsat PT IGBTs 3-20 kHz Switching TO-263 (IXGA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TC = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V TO-220 (IXGP) VGES Continuous 20 V VGEM Tra

 7.1. Size:287K  ixys
 ixga30n60c3d4.pdf pdf_icon

IXGA30N120B3

GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGA30N60C3D4 w/ Diode IC110 = 30A IXGP30N60C3D4 VCE(sat) 3.0V tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25 C to 150 C 600 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous 20 V

 7.2. Size:269K  ixys
 ixga30n60c3.pdf pdf_icon

IXGA30N120B3

GenX3TM 600V VCES = 600V IXGA30N60C3 IGBTs IC110 = 30A IXGP30N60C3 VCE(sat) 3.0V IXGH30N60C3 tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous 20 V

 7.3. Size:278K  ixys
 ixga30n60c3c1.pdf pdf_icon

IXGA30N120B3

GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGA30N60C3C1 w/ SiC Anti-Parallel IC110 = 30A IXGP30N60C3C1 Diode VCE(sat) 3.0V IXGH30N60C3C1 tfi(typ) = 47ns TO-263 AA (IXGA) High-Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGA16N60C2, IXGA16N60C2D1, IXGA20N100A3, IXGA20N120, IXGA20N120A3, IXGA20N120B3, IXGA24N120C3, IXGA24N60C, IKW50N60T, IXGA30N60C3, IXGA30N60C3C1, IXGA30N60C3D4, IXGA36N60A3, IXGA42N30C3, IXGA48N60A3, IXGA48N60B3, IXGA48N60C3