Справочник IGBT. CT30VS-8

 

CT30VS-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT30VS-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180(pulse) A @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO220S
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CT30VS-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:28K  mitsubishi
 ct30vs-8.pdf pdf_icon

CT30VS-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT30VS-8STROBE FLASHER USECT30VS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM ...................................................................

 9.1. Size:28K  mitsubishi
 ct30vm-8.pdf pdf_icon

CT30VS-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT30VM-8STROBE FLASHER USECT30VM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm10.5MAX.r1.310.5 0.52.5 2.5q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTORVCES ................................................................................400VeICM ...............................................................................

Другие IGBT... CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , MBQ50T65FDSC , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 .

History: APT50GN120B2 | IKB40N65ES5 | FD800R33KF2C-K | VS-GB100TP120N | CM400DY-24NF | SKM150GB174D | IGW75N60H3

 

 
Back to Top

 


 
.