CT30VS-8 - аналоги и описание IGBT

 

CT30VS-8 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: CT30VS-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180(pulse) A @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO220S
 

 Аналог (замена) для CT30VS-8

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры CT30VS-8

 ..1. Size:28K  mitsubishi
 ct30vs-8.pdf pdf_icon

CT30VS-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT30VS-8 STROBE FLASHER USE CT30VS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm r 10.5MAX. 4.5 1.3 +0.3 0 0 1 5 0.5 0.8 q w e wr q GATE q w COLLECTOR e EMITTER r COLLECTOR e VCES ............................................................................... 400V ICM ...................................................................

 9.1. Size:28K  mitsubishi
 ct30vm-8.pdf pdf_icon

CT30VS-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT30VM-8 STROBE FLASHER USE CT30VM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 10.5MAX. r 1.3 1 0.5 0.5 2.5 2.5 q w e wr q GATE q w COLLECTOR e EMITTER r COLLECTOR VCES ................................................................................400V e ICM ...............................................................................

Другие IGBT... CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , RJH3047 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 .

 

 
Back to Top

 


 
.