Справочник IGBT. IXGH12N120A3

 

IXGH12N120A3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH12N120A3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 22 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH12N120A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  ixys
 ixga12n120a3 ixgp12n120a3 ixgh12n120a3.pdf pdf_icon

IXGH12N120A3

GenX3TM 1200V VCES = 1200VIXGA12N120A3IGBTs IC90 = 12AIXGP12N120A3 VCE(sat) 3.0V IXGH12N120A3High Surge CurrentTO-263 AA (IXGA)Ultra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3kHz SwitchingGSD (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VG

 ..2. Size:199K  ixys
 ixgh12n120a3.pdf pdf_icon

IXGH12N120A3

GenX3TM 1200V VCES = 1200VIXGA12N120A3IGBTs IC90 = 12AIXGP12N120A3 VCE(sat) 3.0V IXGH12N120A3High Surge CurrentTO-263 AA (IXGA)Ultra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3kHz SwitchingGSD (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VG

 6.1. Size:119K  ixys
 ixgh12n100u1.pdf pdf_icon

IXGH12N120A3

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with DiodeHigh Speed IGBT with DiodeIXGH 12N100U1 1000 V 24 A 3.5 VCombi Pack IXGH 12N100AU1 1000 V 24 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247ADVCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VC (TAB)GCIC25 TC = 25C24 AEIC90 TC = 90C12 AICM

 6.2. Size:119K  ixys
 ixgh12n100au1.pdf pdf_icon

IXGH12N120A3

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with DiodeHigh Speed IGBT with DiodeIXGH 12N100U1 1000 V 24 A 3.5 VCombi Pack IXGH 12N100AU1 1000 V 24 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247ADVCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VC (TAB)GCIC25 TC = 25C24 AEIC90 TC = 90C12 AICM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGF36N300 , IXGH100N30B3 , IXGH100N30C3 , IXGH10N170 , IXGH10N170A , IXGH10N300 , IXGH120N30B3 , IXGH120N30C3 , FGL60N100BNTD , IXGH15N120B2D1 , IXGH16N170 , IXGH16N170A , IXGH16N170AH1 , IXGH16N60B2D1 , IXGH16N60C2D1 , IXGH20N100A3 , IXGH20N120 .

History: MMG400Q060B6EN | 2MBI200TA-060 | NGTB25N120LWG | STGE50NC60WD | DL2G75SH6A | IXBN75N170A

 

 
Back to Top

 


 
.