Справочник IGBT. IXGH32N90B2

 

IXGH32N90B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH32N90B2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 121 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH32N90B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  ixys
ixgh32n90b2 ixgt32n90b2.pdfpdf_icon

IXGH32N90B2

Advance Technical InformationIXGH 32N90B2 VCES = 900 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 32N90B2 IC25 = 64 AB2-Class High Speed IGBTsVCE(sat) = 2.7 Vtfi typ = 150 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 V CEIC25 TC = 25C (limited by leads)

 ..2. Size:199K  ixys
ixgh32n90b2.pdfpdf_icon

IXGH32N90B2

Advance Technical InformationIXGH 32N90B2 VCES = 900 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 32N90B2 IC25 = 64 AB2-Class High Speed IGBTsVCE(sat) = 2.7 Vtfi typ = 150 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 V CEIC25 TC = 25C (limited by leads)

 0.1. Size:219K  ixys
ixgh32n90b2d1 ixgt32n90b2d1.pdfpdf_icon

IXGH32N90B2

Advance Technical InformationVCES = 900 VIXGH 32N90B2D1HiPerFASTTM IGBTIC25 = 64 AIXGT 32N90B2D1with Fast DiodeVCE(sat) = 2.7 Vtfi typ = 150 nsB2-ClassHigh Speed IGBTs withUltrafast DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient

 0.2. Size:217K  ixys
ixgh32n90b2d1.pdfpdf_icon

IXGH32N90B2

Advance Technical InformationVCES = 900 VIXGH 32N90B2D1HiPerFASTTM IGBTIC25 = 64 AIXGT 32N90B2D1with Fast DiodeVCE(sat) = 2.7 Vtfi typ = 150 nsB2-ClassHigh Speed IGBTs withUltrafast DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient

Другие IGBT... IXGH30N60C2D1 , IXGH30N60C3 , IXGH30N60C3C1 , IXGH30N60C3D1 , IXGH32N100A3 , IXGH32N120A3 , IXGH32N170 , IXGH32N170A , RJP30E2DPP-M0 , IXGH32N90B2D1 , IXGH34N60B2 , IXGH35N120B , IXGH35N120C , IXGH36N60A3 , IXGH36N60A3D4 , IXGH36N60B3 , IXGH36N60B3C1 .

History: MMG200D120B6TC | AOB30B65LN2V | APTGT75DA120D1

 

 
Back to Top

 


 
.