VBGN40N120 - аналоги и описание IGBT

 

VBGN40N120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VBGN40N120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для VBGN40N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VBGN40N120 даташит

 ..1. Size:1470K  cn vbsemi
 vbgn40n120.pdf pdf_icon

VBGN40N120

VBGN40N120 www.VBsemi.com General Description VBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES High speed switching High system efficiency Short Circuit Withstand Times 10us Extremely enhanced

 7.1. Size:1463K  cn vbsemi
 vbgn40n60.pdf pdf_icon

VBGN40N120

VBGN40N60 www.VBsemi.com General Description VBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES High speed switching High ruggedness, temperature stable behavior Short Circuit Withstand Times 10us

Другие IGBT... CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , CRG15T120BNR3S , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 , VBGT25N135 , VBGT30N135 , DG10X06T1 .

History: IKW75N60H3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.