VBGT15N120P Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VBGT15N120P
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 90 nC
Тип корпуса: TO3PN
VBGT15N120P Datasheet (PDF)
vbgt15n120p.pdf

VBGT15N120Pwww.VBsemi.comGeneral Description VBsemi IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh system efficiencySoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avalanche capabilityMAXIMUM RATING (Ta=25)
vbgt15n120.pdf

VBGT15N120www.VBsemi.comGeneral Description VBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorSoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avalanc
vbgt15n135.pdf

VBGT15N135www.VBsemi.comGeneral Description VBsemi IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc. _+_+_+_+FEATURES _+High speed switching _+_+High system efficiency_+_+Soft current turn-off waveforms_+_Extreme
Другие IGBT... CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , IKW50N60H3 , VBGT15N135 , VBGT25N135 , VBGT30N135 , DG10X06T1 , DG10X12T2 , DG120X07T2 , DG15X06T1 , DG15X12T2 .
History: IXGH17N100AU1
History: IXGH17N100AU1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n