IXGP24N60C - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGP24N60C

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP24N60C

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGP24N60C даташит

 ..1. Size:98K  ixys
 ixgp24n60c.pdf pdf_icon

IXGP24N60C

HiPerFASTTM IGBT IXGA 24N60C VCES = 600 V IXGP 24N60C IC25 = 48 A LightspeedTM Series VCE(sat)typ = 2.1 V tfi typ = 60 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C48 A IC110 TC = 110 C24 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC

 ..2. Size:100K  ixys
 ixga24n60c ixgp24n60c.pdf pdf_icon

IXGP24N60C

HiPerFASTTM IGBT IXGA 24N60C VCES = 600 V IXGP 24N60C IC25 = 48 A LightspeedTM Series VCE(sat)typ = 2.1 V tfi typ = 60 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C48 A IC110 TC = 110 C24 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC

 0.1. Size:92K  ixys
 ixgp24n60c4.pdf pdf_icon

IXGP24N60C

Advance Technical Information High-Gain IGBTs VCES = 600V IXGP24N60C4 IC110 = 24A IXGH24N60C4 VCE(sat) 2.70V tfi(typ) = 68ns High-Speed PT Trench IGBTs TO-220AB (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G C Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IX

 0.2. Size:84K  ixys
 ixgp24n60c4d1.pdf pdf_icon

IXGP24N60C

Preliminary Technical Information VCES = 600V High-Gain IGBT IXGP24N60C4D1 IC110 = 24A w/ Diode VCE(sat) 2.70V tfi(typ) = 44ns High-Speed PT Trench IGBT TO-220 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C Tab E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G = Gate C = Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGP16N60B2D1, IXGP16N60C2, IXGP16N60C2D1, IXGP20N100A3, IXGP20N120, IXGP20N120A3, IXGP20N120B3, IXGP24N120C3, RJH3047, IXGP24N60C4, IXGP24N60C4D1, IXGP2N100, IXGP2N100A, IXGP30N120B3, IXGP30N60B2, IXGP30N60B4D1, IXGP30N60C2