DG15X06T1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: DG15X06T1 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 27 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 9 nS
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DG15X06T1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
DG15X06T1 даташит
Другие IGBT... VBGT15N120, VBGT15N120P, VBGT15N135, VBGT25N135, VBGT30N135, DG10X06T1, DG10X12T2, DG120X07T2, IRG4PC50W, DG15X12T2, DG20X06T2, DG30X07T2, HGTG12N60D1D, SIG20N60F, SIG20N60P, SIG25N60F, SIG25N60P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor


