IXGR40N60B2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGR40N60B2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9(max) V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
Тип корпуса: ISOPLUS247
Аналог (замена) для IXGR40N60B2
IXGR40N60B2 Datasheet (PDF)
ixgr40n60b2.pdf
VCES = 600 VIXGR 40N60B2HiPerFASTTM IGBTIXGR 40N60B2D1IC25 = 75 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 1.9 VC2-Class High Speed IGBTstfi typ = 82 ns(Electrically Isolated Back Surface)Optimized for 10-25 KHz hard switchingand up to 150 KHz resonant switchingPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXGR) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VV
ixgr40n60b2d1.pdf
VCES = 600 VIXGR 40N60B2HiPerFASTTM IGBTIXGR 40N60B2D1IC25 = 75 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 1.9 VC2-Class High Speed IGBTstfi typ = 82 ns(Electrically Isolated Back Surface)Optimized for 10-25 KHz hard switchingand up to 150 KHz resonant switchingPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXGR) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VV
ixgr40n60b.pdf
VCES = 600 VIXGR 40N60BHiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGR 40N60BD1ISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.1 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 180 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247VCES TJ = 25C to 150C 600 VE153432VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C 70 A CE Isolated Backsi
ixgr40n60bd1.pdf
VCES = 600 VIXGR 40N60BHiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGR 40N60BD1ISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.1 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 180 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247VCES TJ = 25C to 150C 600 VE153432VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C 70 A CE Isolated Backsi
Другие IGBT... IXGR32N170H1 , IXGR32N90B2D1 , IXGR35N120B , IXGR35N120BD1 , IXGR35N120C , IXGR39N60B , IXGR39N60BD1 , IXGR40N60B , TGPF30N40P , IXGR40N60B2D1 , IXGR40N60C , IXGR40N60C2 , IXGR40N60C2D1 , IXGR40N60CD1 , IXGR48N60B3 , IXGR48N60B3D1 , IXGR48N60C3D1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2