IXGR72N60B3D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGR72N60B3D1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 575 pF
Тип корпуса: ISOPLUS247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGR72N60B3D1 Datasheet (PDF)
ixgr72n60b3d1.pdf

Preliminary Technical InformationGenX3TM B3-Class VCES = 600VIXGR72N60B3D1IGBT w/Diode IC110 = 40AVCE(sat) 1.80V(Electrically Isolated Back Surface)tfi(typ) = 90nsMedium Speed Low Vsat PT IGBTsfor 5-40 kHz SwitchingISOPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES
ixgr72n60b3h1.pdf

Preliminary Technical InformationTMVCES = 600VGenX3 600V IGBTIXGR72N60B3H1IC110 = 40A(Electrically Isolated Back Surface)VCE(sat) 1.80Vtfi(typ) = 92nsMedium Speed Low Vsat PT IGBTfor 5-40 kHz SwitchingISOPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continu
ixgr72n60c3d1.pdf

TMVCES = 600VGenX3 600V IGBTIXGR72N60C3D1IC110 = 35Awith DiodeVCE(sat) 2.7VHigh-Speed Low-Vsat PT IGBTtfi(typ) = 55ns40-100 kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247TMVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC Isolated TabEIC25 TC = 25
ixgr72n60a3.pdf

VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGR72N60A3IC110 = 52AVCE(sat) 1.35VUltra-low Vsat PT IGBTs forup to 5kHz switchingtfi(typ) = 250nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247TM (IXGR)VCES TJ = 25C to 150C 600 VE153432VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC110 TC = 110C 52 AGICM TC
Другие IGBT... IXGR60N60C2C1 , IXGR60N60C2D1 , IXGR60N60C3C1 , IXGR60N60C3D1 , IXGR64N60A3 , IXGR6N170A , IXGR72N60A3 , IXGR72N60A3H1 , MBQ60T65PES , IXGR72N60B3H1 , IXGR72N60C3D1 , IXGT10N170 , IXGT10N170A , IXGT15N120B2D1 , IXGT16N170 , IXGT16N170A , IXGT16N170AH1 .
History: SKM145GAY123D | IXGT30N60C3D1 | HYG30P120H1K1 | DL2G50SH6N | IRGP4068D-EPBF | SKM800GA176D | MMG200DR120B
History: SKM145GAY123D | IXGT30N60C3D1 | HYG30P120H1K1 | DL2G50SH6N | IRGP4068D-EPBF | SKM800GA176D | MMG200DR120B



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555