G20N120E2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: G20N120E2

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 34

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 100

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для G20N120E2

G20N120E2 Datasheet (PDF)

7.1. hgtg20n120.pdf Size:79K _harris_semi

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E234A, 1200V N-Channel IGBTApril 1995Features PackageJEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free OperationEMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTORGATE High Input ImpedanceCOLLECTOR Low Conduction Loss(BOTTOM SIDEMETAL)DescriptionThe HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch-ing device combining the best

7.2. brg20n120d.pdf Size:161K _blue-rocket-elect

BRG20N120D /INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR /Applications /General purpose inverter /Frequency converters /Induction Heating(IH) /Uninterrupted Power Supply(UPS) /Features /Low gate charge /Positive temperature coefficient /Lo

 7.3. brg20n120d.pdf Size:161K _foshan

BRG20N120D /INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR /Applications /General purpose inverter /Frequency converters /Induction Heating(IH) /Uninterrupted Power Supply(UPS) /Features /Low gate charge /Positive temperature coefficient /Lo

Другие IGBT... G12N40E1 , G12N40E1D , G12N50C1 , G12N50C1D , G12N50E1 , G12N50E1D , G12N60C3D , G12N60D1 , GT60N321 , G20N60B3 , G20N60B3D , G30N60C3 , G30N60C3D , G34N100E2 , G3N60C , G3N60C3D , G40N60B3 .