SIG20N60F - аналоги и описание IGBT

 

SIG20N60F - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: SIG20N60F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 93 pF
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SIG20N60F

 

Технические параметры SIG20N60F

 ..1. Size:971K  cn super semi
 sig20n60f.pdf pdf_icon

SIG20N60F

SUPER-SEMI Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor 600V Trench and Super Junction IGBT SIG20N60F Rev. 0.5 Apr. 2023 www.supersemi.com.cn SIG20N60F 600V Trench and Super Junction IGBT General Description Super-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 V designed according to the superjunction (SJ) IC 20 A principle. The SJ-IGBT series provides low VCE(sat) IC=20

 ..2. Size:1068K  cn super semi
 sig20n60f sig20n60p.pdf pdf_icon

SIG20N60F

SUPER-SEMI Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor 600V Trench and Super Junction IGBT SIG20N60* Rev. 0.3 Aug.2021 www.supersemi.com.cn SIG20N60F/SIG20N60P 600V Trench and Super Junction IGBT General Description Super-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 V designed according to the superjunction (SJ) IC 20 A principle. The SJ-IGBT series provides low VCE(sat

 6.1. Size:1011K  cn super semi
 sig20n60p1a.pdf pdf_icon

SIG20N60F

SUPER-SEMI Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor 600V Trench and Super Junction IGBT SIG20N60P1A Rev. 0.5 Apr. 2023 www.supersemi.com.cn SIG20N60P1A 600V Trench and Super Junction IGBT General Description Super-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 V designed according to the superjunction (SJ) IC 20 A principle. The SJ-IGBT series provides low VCE(sat) I

 8.1. Size:614K  silikron
 ssig20n135h.pdf pdf_icon

SIG20N60F

SSIG20N135H Main Product Characteristics VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 20A @ TC = 100 C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits Advanced Trench-FS Process Technology Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@20A Fast Switching High Input Impedance Pb- Free Product Power Switch Circuit of Induction Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DG10X06T1 , DG10X12T2 , DG120X07T2 , DG15X06T1 , DG15X12T2 , DG20X06T2 , DG30X07T2 , HGTG12N60D1D , GT30F133 , SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 .

 

 
Back to Top

 


 
.