IXGX100N170 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGX100N170
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 170 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 192 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 455 pF
Тип корпуса: PLUS247
Аналог (замена) для IXGX100N170
IXGX100N170 Datasheet (PDF)
ixgk100n170 ixgx100n170.pdf

Preliminary Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 1700VIXGK100N170IC90 = 100AIXGX100N170VCE(sat) 3.0VTO-264Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGVGES Continuous 20 VC(TAB)EEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Chip Capability) 170 APLUS247TMIC90 T
ixgx100n170.pdf

VCES = 1700VHigh Voltage IXGK100N170IC90 = 100AIGBTs IXGX100N170 VCE(sat) 3.0V TO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 V GCVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VETabVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247 (IXGX)IC25 TC= 25C ( Chip Capability ) 170 AILRMS Terminal Current Limit
ixgk120n60b3-ixgx120n60b3.pdf

VCES = 600VGenX3TM 600V IXGK120N60B3IC110 = 120AIXGX120N60B3IGBTsVCE(sat) 1.8Vtfi(typ) = 145nsMedium-Speed-Low-Vsat PTIGBTs for 5-40kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTabVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247TM (IXG
ixgx120n60b3.pdf

VCES = 600VGenX3TM 600V IXGK120N60B3IC110 = 120AIXGX120N60B3IGBTsVCE(sat) 1.8Vtfi(typ) = 145nsMedium-Speed-Low-Vsat PTIGBTs for 5-40kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTabVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247TM (IXG
Другие IGBT... IXGT60N60C3D1 , IXGT64N60A3 , IXGT64N60B3 , IXGT6N170 , IXGT6N170A , IXGT72N60A3 , IXGT72N60B3 , IXGV25N250S , IRG4PC50UD , IXGX120N120A3 , IXGX120N120B3 , IXGX120N60A3 , IXGX120N60B3 , IXGX120N60C2 , IXGX12N90C , IXGX28N140B3H1 , IXGX320N60A3 .
History: IXYX140N90C3 | FGW15N120HD | IRG4IBC20UD | SKM400GAL062D | 2MBI150U4A-120
History: IXYX140N90C3 | FGW15N120HD | IRG4IBC20UD | SKM400GAL062D | 2MBI150U4A-120



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor