IXGX100N170 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGX100N170

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 170 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 192 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 455 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXGX100N170

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGX100N170 даташит

 ..1. Size:201K  ixys
ixgk100n170 ixgx100n170.pdfpdf_icon

IXGX100N170

Preliminary Technical Information High Voltage IGBT VCES = 1700V IXGK100N170 IC90 = 100A IXGX100N170 VCE(sat) 3.0V TO-264 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) E E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Chip Capability) 170 A PLUS247TM IC90 T

 ..2. Size:185K  ixys
ixgx100n170.pdfpdf_icon

IXGX100N170

VCES = 1700V High Voltage IXGK100N170 IC90 = 100A IGBTs IXGX100N170 VCE(sat) 3.0V TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V E Tab VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247 (IXGX) IC25 TC= 25 C ( Chip Capability ) 170 A ILRMS Terminal Current Limit

 9.1. Size:197K  ixys
ixgk120n60b3-ixgx120n60b3.pdfpdf_icon

IXGX100N170

VCES = 600V GenX3TM 600V IXGK120N60B3 IC110 = 120A IXGX120N60B3 IGBTs VCE(sat) 1.8V tfi(typ) = 145ns Medium-Speed-Low-Vsat PT IGBTs for 5-40kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Tab VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXG

 9.2. Size:194K  ixys
ixgx120n60b3.pdfpdf_icon

IXGX100N170

VCES = 600V GenX3TM 600V IXGK120N60B3 IC110 = 120A IXGX120N60B3 IGBTs VCE(sat) 1.8V tfi(typ) = 145ns Medium-Speed-Low-Vsat PT IGBTs for 5-40kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Tab VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXG

Другие IGBT... IXGT60N60C3D1, IXGT64N60A3, IXGT64N60B3, IXGT6N170, IXGT6N170A, IXGT72N60A3, IXGT72N60B3, IXGV25N250S, AOK40B65H2AL, IXGX120N120A3, IXGX120N120B3, IXGX120N60A3, IXGX120N60B3, IXGX120N60C2, IXGX12N90C, IXGX28N140B3H1, IXGX320N60A3