Справочник IGBT. IXSH45N120B

 

IXSH45N120B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSH45N120B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
   Тип корпуса: TO247
 
   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSH45N120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  ixys
 ixsh45n120b ixst45n120b.pdf pdf_icon

IXSH45N120B

IXSH 45N120BHigh Voltage IGBT IC25 = 75 AIXST 45N120BVCES = 1200 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityVCE(sat) = 3.0 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V(TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C (limited by leads) 75 ATO-26

 ..2. Size:53K  ixys
 ixsh45n120b.pdf pdf_icon

IXSH45N120B

IXSH 45N120BHigh Voltage IGBT IC25 = 75 AIXST 45N120BVCES = 1200 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityVCE(sat) = 3.0 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V(TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C (limited by leads) 75 ATO-26

 4.1. Size:91K  ixys
 ixsh45n120.pdf pdf_icon

IXSH45N120B

High Voltage, IXSH 45N120 VCES = 1200 VLow VCE(sat) IGBT IC25 = 75 AVCE(sat) = 3 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AG = Gate, C = Collector,IC90 TC = 90C45 AE = Em

 6.1. Size:102K  ixys
 ixsh45n100.pdf pdf_icon

IXSH45N120B

Low VCE(sat) IGBT IXSH 45N100 VCES = 1000 VIXSM 45N100 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C75 AIC90 TC = 90C45 A TO-204 AE (IXSM)ICM TC = 25C, 1 ms 180 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSH10N60B2D1 , IXSH15N120BD1 , IXSH20N60B2D1 , IXSH24N60B , IXSH24N60BD1 , IXSH30N60B2D1 , IXSH35N120B , SIG20N60P1A , GT30G124 , IXSK35N120BD1 , IXSK80N60B , IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B .

 

 
Back to Top

 


 
.