IXSH45N120B - аналоги и описание IGBT

 

IXSH45N120B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSH45N120B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXSH45N120B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSH45N120B даташит

 ..1. Size:54K  ixys
 ixsh45n120b ixst45n120b.pdf pdf_icon

IXSH45N120B

IXSH 45N120B High Voltage IGBT IC25 = 75 A IXST 45N120B VCES = 1200 V "S" Series - Improved SCSOA Capability VCE(sat) = 3.0 V Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1200 V (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C (limited by leads) 75 A TO-26

 ..2. Size:53K  ixys
 ixsh45n120b.pdf pdf_icon

IXSH45N120B

IXSH 45N120B High Voltage IGBT IC25 = 75 A IXST 45N120B VCES = 1200 V "S" Series - Improved SCSOA Capability VCE(sat) = 3.0 V Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1200 V (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C (limited by leads) 75 A TO-26

 4.1. Size:91K  ixys
 ixsh45n120.pdf pdf_icon

IXSH45N120B

High Voltage, IXSH 45N120 VCES = 1200 V Low VCE(sat) IGBT IC25 = 75 A VCE(sat) = 3 V Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1200 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A G = Gate, C = Collector, IC90 TC = 90 C45 A E = Em

 6.1. Size:102K  ixys
 ixsh45n100.pdf pdf_icon

IXSH45N120B

Low VCE(sat) IGBT IXSH 45N100 VCES = 1000 V IXSM 45N100 IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.7 V Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C75 A IC90 TC = 90 C45 A TO-204 AE (IXSM) ICM TC = 25 C, 1 ms 180 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSH10N60B2D1 , IXSH15N120BD1 , IXSH20N60B2D1 , IXSH24N60B , IXSH24N60BD1 , IXSH30N60B2D1 , IXSH35N120B , SIG20N60P1A , SGT50T65FD1PN , IXSK35N120BD1 , IXSK80N60B , IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.