IXST35N120B - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXST35N120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXST35N120B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 260 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: TO268

Аналог (замена) для IXST35N120B

IXST35N120B Datasheet (PDF)

..1. Size:80K ixys
ixst35n120b.pdf

IXSH 35N120BIGBT IC25 = 70 AIXST 35N120BVCES = 1200 VVCE(sat) = 3.6 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 V(TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 ATO-268 ( IXST)IC90 TC = 90C35 AICM TC = 25C, 1

..2. Size:82K ixys
ixsh35n120b ixst35n120b.pdf

9.1. Size:71K ixys
ixst30n60cd1.pdf

High Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60CD1VCES = 600 VIXSK 30 N60CD1IC25 = 55 AIXST 30 N60CD1VCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 70 nsPreliminary dataTO-247AD(IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 600 V EVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VTO-268 (D3)(IXST)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VCG

9.2. Size:129K ixys
ixst30n60b.pdf

VCES ICES tfiHigh Speed IGBTIXSH/IXST 30N60B 600 V 2.0 V 140 nsIXSH/IXST 30N60C 600 V 2.5 V 70 nsShort Circuit SOA CapabilityTO-247 AD (IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V(TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-268 (D3) ( IXST)IC25 TC = 25C55 AIC90 TC = 90C30 AGICM

9.3. Size:131K ixys
ixsh30n60 ixst30n60.pdf

9.4. Size:117K ixys
ixst30n60bd1.pdf

High Speed IGBT with Diode IXSH 30N60BD1VCES = 600 VIXSK 30N60BD1IC25 = 55 AIXST 30N60BD1VCE(sat) = 2.0 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 140 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247AD(IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VTO-268 (D3)IC25 TC = 25C55 A(IXST)IC9

9.5. Size:616K ixys
ixsh30n60b2d1 ixst30n60b2d1.pdf

High Speed IGBT IXSH 30N60B2D1VCES = 600 VIXST 30N60B2D1with Diode IC25 = 48 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VC (TAB)GCEIC25 TC = 25C48 AIC110 TC = 110C

9.6. Size:132K ixys
ixst30n60c.pdf