Справочник IGBT. IXSX80N60B

 

IXSX80N60B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSX80N60B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 660 pF
   Тип корпуса: PLUS247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXSX80N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  ixys
 ixsx80n60b.pdf pdf_icon

IXSX80N60B

IXSK 80N60B VCES = 600 VHigh Current IGBTShort Circuit SOA Capability IXSX 80N60B IC25 = 160 AVCE(sat) = 2.5 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVCES Continuous 20 V (TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C (silicon chip capability) 160 A TO-264 AAIC90 TC = 90C (

 ..2. Size:45K  ixys
 ixsk80n60b ixsx80n60b.pdf pdf_icon

IXSX80N60B

IXSK 80N60B VCES = 600 VHigh Current IGBTShort Circuit SOA Capability IXSX 80N60B IC25 = 160 AVCE(sat) = 2.5 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVCES Continuous 20 V (TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C (silicon chip capability) 160 A TO-264 AAIC90 TC = 90C (

Другие IGBT... IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B , IXSX35N120BD1 , IXSX40N60BD1 , JT075N065WED , IXXA50N60B3 , IXXH100N60B3 , IXXH100N60C3 , IXXH30N60B3D1 , IXXH30N60C3D1 , IXXH50N60B3 , IXXH50N60B3D1 , IXXH50N60C3 .

History: STGD19N40LZ | IKW30N65H5 | STGP7H60DF | SGS5N60RUF | APT35GP120B | JNG30N120HS3 | IXBH28N170A

 

 
Back to Top

 


 
.