IXXH50N60B3D1 - аналоги и описание IGBT

 

IXXH50N60B3D1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IXXH50N60B3D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXXH50N60B3D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IXXH50N60B3D1

 ..1. Size:192K  ixys
 ixxh50n60b3d1.pdf pdf_icon

IXXH50N60B3D1

Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM IGBT 600V IXXH50N60B3D1 IC110 = 50A GenX3TM w/ Diode VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 135ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGE

 3.1. Size:224K  ixys
 ixxh50n60b3.pdf pdf_icon

IXXH50N60B3D1

Preliminary Technical Information VCES = 600V 600V XPTTM IGBTs IXXA50N60B3 IC110 = 50A GenX3TM IXXP50N60B3 VCE(sat) 1.80V IXXH50N60B3 TO-263 AA (IXXA) Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching G E C (Tab) TO-220AB (IXXP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V VG

 5.1. Size:174K  ixys
 ixxh50n60c3.pdf pdf_icon

IXXH50N60B3D1

Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXH50N60C3 IC110 = 50A GenX3TM VCE(sat) 2.30V tfi(typ) = 42ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient 30

 5.2. Size:193K  ixys
 ixxh50n60c3d1.pdf pdf_icon

IXXH50N60B3D1

Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXH50N60C3D1 IC110 = 50A GenX3TM w/ Diode VCE(sat) 2.30V tfi(typ) = 42ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V C Tab E VGES Continuous 20 V VGEM Tra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSX40N60BD1 , IXSX80N60B , IXXA50N60B3 , IXXH100N60B3 , IXXH100N60C3 , IXXH30N60B3D1 , IXXH30N60C3D1 , IXXH50N60B3 , IKW50N60H3 , IXXH50N60C3 , IXXH50N60C3D1 , IXXH75N60B3 , IXXH75N60B3D1 , IXXH75N60C3 , IXXH75N60C3D1 , IXXK100N60B3H1 , IXXK100N60C3H1 .

History: IXGH30N60B2

 

 
Back to Top

 


 
.