Справочник IGBT. IXXH50N60B3D1

 

IXXH50N60B3D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH50N60B3D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 70 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXXH50N60B3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  ixys
 ixxh50n60b3d1.pdf pdf_icon

IXXH50N60B3D1

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM IGBT 600V IXXH50N60B3D1IC110 = 50AGenX3TM w/ Diode VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 135nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGE

 3.1. Size:224K  ixys
 ixxh50n60b3.pdf pdf_icon

IXXH50N60B3D1

Preliminary Technical InformationVCES = 600V600V XPTTM IGBTs IXXA50N60B3IC110 = 50AGenX3TM IXXP50N60B3 VCE(sat) 1.80V IXXH50N60B3TO-263 AA (IXXA)Extreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingGEC (Tab)TO-220AB (IXXP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VVG

 5.1. Size:174K  ixys
 ixxh50n60c3.pdf pdf_icon

IXXH50N60B3D1

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXH50N60C3IC110 = 50AGenX3TM VCE(sat) 2.30V tfi(typ) = 42nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30

 5.2. Size:193K  ixys
 ixxh50n60c3d1.pdf pdf_icon

IXXH50N60B3D1

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXH50N60C3D1IC110 = 50AGenX3TM w/ Diode VCE(sat) 2.30V tfi(typ) = 42nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VC TabEVGES Continuous 20 VVGEM Tra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSX40N60BD1 , IXSX80N60B , IXXA50N60B3 , IXXH100N60B3 , IXXH100N60C3 , IXXH30N60B3D1 , IXXH30N60C3D1 , IXXH50N60B3 , TGAN20N135FD , IXXH50N60C3 , IXXH50N60C3D1 , IXXH75N60B3 , IXXH75N60B3D1 , IXXH75N60C3 , IXXH75N60C3D1 , IXXK100N60B3H1 , IXXK100N60C3H1 .

History: DIM400PBM17-A | MMG25CE120XB6TC | HGT1S3N60B3S | TT075N065EQ

 

 
Back to Top

 


 
.