GA200SA60U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GA200SA60U
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 79 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 770 nC
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для GA200SA60U
GA200SA60U Datasheet (PDF)
ga200sa60u.pdf
D GA200SA60U Ultra-FastTM Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C UltraFast: Optimized for minimum saturation voltageVCES = 600V and operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching lossesVCE(on) typ. = 1.60VG Fully isolate package ( 2,500 Volt AC/RMS) Very low internal
ga200sa60up.pdf
GA200SA60UPVishay SemiconductorsInsulated Gate Bipolar Transistor(Ultrafast Speed IGBT), 100 AFEATURES Ultrafast: Optimized for minimum saturationvoltage and speed up to 40 kHz in hardswitching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses Fully isolate package (2500 VAC/RMS) Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry sta
vs-ga200sa60up.pdf
VS-GA200SA60UPwww.vishay.comVishay SemiconductorsInsulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 AFEATURES Ultrafast: optimized for minimum saturation voltage and speed up to 30 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses Fully isolate package (2500 VAC/RMS) Very low internal inductance ( 5 nH typi
ga200sa60s.pdf
D /) 5)$ 5 I TI T D T I T I T Features CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Standard : Optimized for minimum saturationVCES = 600V voltage and low operating frequencies up to 1kHz Lowest conduction losses available Fully isolated package ( 2,500 volt AC)VCE(on) typ. = 1.10VG Very low internal inductance ( 5 nH ty
Другие IGBT... MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , BT15T120ANF , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2