IGC89T170S8RM - аналоги и описание IGBT

 

IGC89T170S8RM - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGC89T170S8RM

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

Тип корпуса: CHIP

 Аналог (замена) для IGC89T170S8RM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGC89T170S8RM даташит

 ..1. Size:213K  infineon
 igc89t170s8rm.pdf pdf_icon

IGC89T170S8RM

IGC89T170S8RM IGBT3 Power Chip Features This chip is used for 1700V Trench + Field stop technology power modules C low switching losses soft turn off Applications positive temperature coefficient drives easy paralleling G E Chip Type VCE IC Die Size Package IGC89T170S8RM 1700V 75A 8.85 x 10.09 mm2 sawn on foil Mechanical Parameters Ra

Другие IGBT... MIXA60W1200TED , IGC99T120T6RM , MIXA60WB1200TEH , IGC99T120T6RL , MIXA61H1200ED , IGC99T120T6RH , MIXA80R1200VA , MIXA80W1200TED , FGH75T65UPD , MIXA80W1200TEH , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , MKI100-12F8 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.