Справочник IGBT. GA400TD25S

 

GA400TD25S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GA400TD25S

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1350W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.60V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 400A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Корпус: INT-A-PAK

Аналог (замена) для GA400TD25S

 

 

GA400TD25S Datasheet (PDF)

1.1. ga400td25s.pdf Size:203K _international_rectifier

GA400TD25S
GA400TD25S

PD -50051C GA400TD25S Standard Speed IGBT "HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK Features Features Features Features Features VCES = 250V Generation 4 IGBT technology Standard: Optimized for minimum saturation voltage and operating frequencies up to 10kHz VCE(on) typ. = 1.3V Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft @VGE = 15V, I

3.1. ga400td60u.pdf Size:232K _international_rectifier

GA400TD25S
GA400TD25S

PD - 50059C GA400TD60U Ultra-FastTM Speed IGBT "HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK Features Features Features Features Features VCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 VCE(on) typ. = 1.70V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses @VGE = 15V, IC = 400A HEXFRED anti

 

Другие IGBT... GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , IRG4PC50F , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 .

Back to Top

 


GA400TD25S
  GA400TD25S
  GA400TD25S
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top