Справочник IGBT. GA400TD25S

 

GA400TD25S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GA400TD25S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 365 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4080 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

GA400TD25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  international rectifier
 ga400td25s.pdf pdf_icon

GA400TD25S

PD -50051CGA400TD25S Standard Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAKFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesVCES = 250V Generation 4 IGBT technology Standard: Optimized for minimum saturation voltage and operating frequencies up to 10kHzVCE(on) typ. = 1.3V Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft

 7.1. Size:232K  international rectifier
 ga400td60u.pdf pdf_icon

GA400TD25S

PD - 50059CGA400TD60U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAKFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesVCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.70V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 400A HE

Другие IGBT... GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , IRGP4062D , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 .

History: IKD10N60RF | NCE80TC65BT | IXGK50N60C2D1 | AOK75B60D1 | IXGT64N60A3 | SGS13N60UFD | APT60GA60JD60

 

 
Back to Top

 


 
.