Справочник IGBT. STGB10NB40LZ

 

STGB10NB40LZ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGB10NB40LZ
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Маркировка: GB10NB40LZ
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 410 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 12 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 270 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 28 nC
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STGB10NB40LZ

 

 

STGB10NB40LZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  st
 stgb10nb40lz.pdf

STGB10NB40LZ STGB10NB40LZ

STGB10NB40LZN-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB10NB40LZ CLAMPED

 6.1. Size:604K  st
 stgb10nb60s.pdf

STGB10NB40LZ STGB10NB40LZ

STGB10NB60SSTGP10NB60S16 A, 600 V, low drop IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capabilityTABTABApplications3 Light dimmer 3 121 Static relaysTO-220 D2PAK Motor driveDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process featuring extremely low on-state voltage Figure 1. Internal schematic diagramdrop in low-fr

 6.2. Size:747K  st
 stgb10nb37lz stgp10nb37lz.pdf

STGB10NB40LZ STGB10NB40LZ

STGB10NB37LZSTGP10NB37LZ10 A - 410 V internally clamped IGBTFeatures Low threshold voltage Low on-voltage dropTABTAB Low gate charge High current capability3 High voltage clamping feature3 121TO-220 DPAKApplications Automotive ignitionDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off

 6.3. Size:747K  st
 stgb10nb37lz.pdf

STGB10NB40LZ STGB10NB40LZ

STGB10NB37LZSTGP10NB37LZ10 A - 410 V internally clamped IGBTFeatures Low threshold voltage Low on-voltage dropTABTAB Low gate charge High current capability3 High voltage clamping feature3 121TO-220 DPAKApplications Automotive ignitionDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off

 6.4. Size:433K  st
 stgp10nb60s stgp10nb60sfp stgb10nb60s.pdf

STGB10NB40LZ STGB10NB40LZ

STGP10NB60SSTGP10NB60SFP- STGB10NB60SN-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAKPowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP10NB60S 600 V

Другие IGBT... MWI80-12T6K , VII130-06P1 , VKI50-06P1 , VKI50-12P1 , VKI75-06P1 , VWI15-12P1 , VWI20-06P1 , VWI35-06P1 , TGPF30N43P , STGB10NB60S , STGB10NC60HD , STGB10NC60K , STGB10NC60KD , STGB14NC60KD , STGB18N40LZ , STGB19NC60H , STGB19NC60HD .

 

 
Back to Top