STGB10NB40LZ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGB10NB40LZ
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Маркировка: GB10NB40LZ
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 410 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 12 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.2 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 270 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 28 nC
Тип корпуса: D2PAK
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGB10NB40LZ Datasheet (PDF)
stgb10nb40lz.pdf

STGB10NB40LZN-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB10NB40LZ CLAMPED
stgb10nb60s.pdf

STGB10NB60SSTGP10NB60S16 A, 600 V, low drop IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capabilityTABTABApplications3 Light dimmer 3 121 Static relaysTO-220 D2PAK Motor driveDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process featuring extremely low on-state voltage Figure 1. Internal schematic diagramdrop in low-fr
stgb10nb37lz stgp10nb37lz.pdf

STGB10NB37LZSTGP10NB37LZ10 A - 410 V internally clamped IGBTFeatures Low threshold voltage Low on-voltage dropTABTAB Low gate charge High current capability3 High voltage clamping feature3 121TO-220 DPAKApplications Automotive ignitionDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off
stgb10nb37lz.pdf

STGB10NB37LZSTGP10NB37LZ10 A - 410 V internally clamped IGBTFeatures Low threshold voltage Low on-voltage dropTABTAB Low gate charge High current capability3 High voltage clamping feature3 121TO-220 DPAKApplications Automotive ignitionDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off
Другие IGBT... MWI80-12T6K , VII130-06P1 , VKI50-06P1 , VKI50-12P1 , VKI75-06P1 , VWI15-12P1 , VWI20-06P1 , VWI35-06P1 , TGPF30N43P , STGB10NB60S , STGB10NC60HD , STGB10NC60K , STGB10NC60KD , STGB14NC60KD , STGB18N40LZ , STGB19NC60H , STGB19NC60HD .
History: MPBQ50N120B | IGW40N60H3
History: MPBQ50N120B | IGW40N60H3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor