Справочник IGBT. 10N40E1D

 

10N40E1D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: 10N40E1D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 50

Корпус: TO220

Аналог (замена) для 10N40E1D

 

 

10N40E1D Datasheet (PDF)

1.1. hgtp10n40c1d hgtp10n40e1d hgtp10n50c1d hgtp10n50e1d.pdf Size:47K _harris_semi

10N40E1D
10N40E1D

HGTP10N40C1D, HGTP10N40E1D, S E M I C O N D U C T O R HGTP10N50C1D, HGTP10N50E1D 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes April 1995 Features Package JEDEC TO-220AB • 10A, 400V and 500V • VCE(ON): 2.5V Max. EMITTER COLLECTOR • TFALL: 1µs, 0.5µs GATE • Low On-State Voltage COLLECTOR • Fast Switching Speeds (FLANGE) • High Input Impeda

4.1. mtp10n40e.pdf Size:151K _motorola

10N40E1D
10N40E1D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP10N40E/D Designer's Data Sheet MTP10N40E TMOS E-FET. High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWE

4.2. mtw10n40e.pdf Size:74K _motorola

10N40E1D
10N40E1D

 4.3. mtb10n40e.pdf Size:234K _motorola

10N40E1D
10N40E1D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB10N40E/D Designer's Data Sheet MTB10N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount

4.4. mtp10n40erev0x.pdf Size:249K _motorola

10N40E1D
10N40E1D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP10N40E/D Designer's Data Sheet MTP10N40E TMOS E-FET. High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWE

 4.5. mtb10n40erev0x.pdf Size:273K _motorola

10N40E1D
10N40E1D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB10N40E/D Designer's Data Sheet MTB10N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount

4.6. mtn10n40e3.pdf Size:236K _cystek

10N40E1D
10N40E1D

Spec. No. : C586E3 Issued Date : 2011.04.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS : 400V RDS(ON) : 0.47Ω(typ.) MTN10N40E3 ID : 10A Description The MTN10N40E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Другие IGBT... 10N40C1D , 10N40E1D , 10N40F1D , 10N50C1D , 10N50E1D , 10N50F1D , 12N60C3D , 14N36GVL , IKW50N60H3 , 1MB05-120 , 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 .

 

 
Back to Top