IKW08T120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKW08T120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Тип корпуса: TO247
IKW08T120 Datasheet (PDF)
ikw08t120.pdf
IKW08T120TrenchStop SeriesLow Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diodeC Approx. 1.0V reduced VCE(sat)and 0.5V reduced VF compared to BUP305D Short circuit withstand time 10sGE Designed for :- Frequency Converters- Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fields
ikw08t120 .pdf
IKW08T120 TrenchStop Series Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Approx. 1.0V reduced VCE(sat) and 0.5V reduced VF compared to BUP305D Short circuit withstand time 10s GE Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fieldst
Другие IGBT... STGW60H65F , STGWA19NC60HD , STGWA60NC60WDR , STGWF30NC60S , STGWT38IH130D , STGY40NC60VD , STGY50NC60WD , IKW30N100T , HGTG30N60A4 , SKW30N60HS , IKW15T120 , IKW25T120 , IKW40T120 , IKA06N60T , IKB06N60T , IKA10N60T , IKB10N60T .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2