IKW08T120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKW08T120  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKW08T120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKW08T120 даташит

 ..1. Size:510K  infineon
 ikw08t120.pdf pdf_icon

IKW08T120

IKW08T120 TrenchStop Series Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode C Approx. 1.0V reduced VCE(sat) and 0.5V reduced VF compared to BUP305D Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fields

 ..2. Size:366K  infineon
 ikw08t120 .pdf pdf_icon

IKW08T120

IKW08T120 TrenchStop Series Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Approx. 1.0V reduced VCE(sat) and 0.5V reduced VF compared to BUP305D Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fieldst

Другие IGBT... STGW60H65F, STGWA19NC60HD, STGWA60NC60WDR, STGWF30NC60S, STGWT38IH130D, STGY40NC60VD, STGY50NC60WD, IKW30N100T, YGW75N65F1, SKW30N60HS, IKW15T120, IKW25T120, IKW40T120, IKA06N60T, IKB06N60T, IKA10N60T, IKB10N60T