Справочник IGBT. IKW08T120

 

IKW08T120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKW08T120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKW08T120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  infineon
 ikw08t120.pdf pdf_icon

IKW08T120

IKW08T120TrenchStop SeriesLow Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diodeC Approx. 1.0V reduced VCE(sat)and 0.5V reduced VF compared to BUP305D Short circuit withstand time 10sGE Designed for :- Frequency Converters- Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fields

 ..2. Size:366K  infineon
 ikw08t120 .pdf pdf_icon

IKW08T120

IKW08T120 TrenchStop Series Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Approx. 1.0V reduced VCE(sat) and 0.5V reduced VF compared to BUP305D Short circuit withstand time 10s GE Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fieldst

Другие IGBT... STGW60H65F , STGWA19NC60HD , STGWA60NC60WDR , STGWF30NC60S , STGWT38IH130D , STGY40NC60VD , STGY50NC60WD , IKW30N100T , IRG7S313U , SKW30N60HS , IKW15T120 , IKW25T120 , IKW40T120 , IKA06N60T , IKB06N60T , IKA10N60T , IKB10N60T .

History: MMG50H120H6HN | STGWA60NC60WDR | RJP60F4DPM | NGB8204N | RJH60D5DPM | HGTH12N40C1 | KGF75N60KDB

 

 
Back to Top

 


 
.