SKW20N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SKW20N60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 107 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SKW20N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKW20N60 даташит

 ..1. Size:469K  infineon
 skw20n60.pdf pdf_icon

SKW20N60

SKW20N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high rugged

 0.1. Size:853K  infineon
 skw20n60hs.pdf pdf_icon

SKW20N60

SKW20N60HS High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers - parallel switching capability PG-TO-247-3-21 - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution High ruggednes

 0.2. Size:346K  infineon
 skw20n60hsg.pdf pdf_icon

SKW20N60

SKW20N60HS High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers - parallel switching capability PG-TO-247-3 - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution High ruggedness,

 0.3. Size:315K  infineon
 skw20n60g.pdf pdf_icon

SKW20N60

SKW20N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKW25N120, SKB02N60, SKB04N60, SKA06N60, SKB06N60, SKW10N60A, SKB15N60, SKW15N60, RJP30E2DPP-M0, SKW30N60, SKB15N60HS, SKW20N60HS, IKB01N120H2, SKB06N60HS, IKA03N120H2, IKB03N120H2, IKW03N120H2