SKW30N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SKW30N60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SKW30N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKW30N60 даташит

 ..1. Size:471K  infineon
 skw30n60.pdf pdf_icon

SKW30N60

SKW30N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for E - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedn

 0.1. Size:348K  infineon
 skw30n60hsg.pdf pdf_icon

SKW30N60

SKW30N60HS High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers PG-TO-247-3 - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution High ruggedne

 0.2. Size:338K  infineon
 skw30n60hs.pdf pdf_icon

SKW30N60

SKW30N60HS ^ High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers P-TO-247-3-1 - parallel switching capability (TO-247AC) - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution

 0.3. Size:319K  infineon
 skw30n60g.pdf pdf_icon

SKW30N60

SKW30N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for E - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKB02N60, SKB04N60, SKA06N60, SKB06N60, SKW10N60A, SKB15N60, SKW15N60, SKW20N60, CRG60T60AN3H, SKB15N60HS, SKW20N60HS, IKB01N120H2, SKB06N60HS, IKA03N120H2, IKB03N120H2, IKW03N120H2, IHW30N100R