Справочник IGBT. SKW30N60

 

SKW30N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKW30N60
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K30N60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 140 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKW30N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  infineon
 skw30n60.pdf pdf_icon

SKW30N60

SKW30N60Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledDiodeC 75% lower Eoff compared to previous generationcombined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 sG Designed for: E- Motor controls- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers:- very tight parameter distribution- high ruggedn

 0.1. Size:348K  infineon
 skw30n60hsg.pdf pdf_icon

SKW30N60

SKW30N60HSHigh Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s GE Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers: PG-TO-247-3 - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution High ruggedne

 0.2. Size:338K  infineon
 skw30n60hs.pdf pdf_icon

SKW30N60

SKW30N60HS^ High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s GE Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers: P-TO-247-3-1 - parallel switching capability (TO-247AC) - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution

 0.3. Size:319K  infineon
 skw30n60g.pdf pdf_icon

SKW30N60

SKW30N60Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for: E- Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKB02N60 , SKB04N60 , SKA06N60 , SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 , SKW15N60 , SKW20N60 , FGA25N120ANTD , SKB15N60HS , SKW20N60HS , IKB01N120H2 , SKB06N60HS , IKA03N120H2 , IKB03N120H2 , IKW03N120H2 , IHW30N100R .

 

 
Back to Top

 


 
.