IKB01N120H2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKB01N120H2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3.2 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9.8 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKB01N120H2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKB01N120H2 даташит

 ..1. Size:416K  infineon
 ikb01n120h2.pdf pdf_icon

IKB01N120H2

IKP01N120H2, IKB01N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Designed for C - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies G E 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers - loss reduction in resonant circuits P-TO-220-3-1 P-TO-263-3-2 (D -PAK) - temperatu

 ..2. Size:427K  infineon
 ikb01n120h2 .pdf pdf_icon

IKB01N120H2

IKB01N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Designed for - SMPS - Lamp Ballast G E - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior P-TO-220-3-45 - parallel s

Другие IGBT... SKB06N60, SKW10N60A, SKB15N60, SKW15N60, SKW20N60, SKW30N60, SKB15N60HS, SKW20N60HS, FGA60N65SMD, SKB06N60HS, IKA03N120H2, IKB03N120H2, IKW03N120H2, IHW30N100R, IHW30N90R, IHW30N60T, IHW30N160R2