Справочник IGBT. IKB01N120H2

 

IKB01N120H2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKB01N120H2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K01H1202
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3.2 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3.9 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9.8 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 8.6 nC
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKB01N120H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  infineon
 ikb01n120h2.pdf pdf_icon

IKB01N120H2

IKP01N120H2, IKB01N120H2HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Designed for: C- SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies GE 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits P-TO-220-3-1 P-TO-263-3-2 (D-PAK)- temperatu

 ..2. Size:427K  infineon
 ikb01n120h2 .pdf pdf_icon

IKB01N120H2

IKB01N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior P-TO-220-3-45 - parallel s

Другие IGBT... SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 , SKW15N60 , SKW20N60 , SKW30N60 , SKB15N60HS , SKW20N60HS , GT30F126 , SKB06N60HS , IKA03N120H2 , IKB03N120H2 , IKW03N120H2 , IHW30N100R , IHW30N90R , IHW30N60T , IHW30N160R2 .

History: APT15GN120SDQ1G

 

 
Back to Top

 


 
.