IKA03N120H2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKA03N120H2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8.2 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 5.2 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKA03N120H2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKA03N120H2 даташит

 ..1. Size:500K  infineon
 ika03n120h2.pdf pdf_icon

IKA03N120H2

IKA03N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode C Designed for - TV Horizontal Line Deflection G E 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution PG-TO220-3-31 PG-T

 0.1. Size:767K  infineon
 ika03n120h2g.pdf pdf_icon

IKA03N120H2

IKA03N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Designed for - TV Horizontal Line Deflection G E 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution PG-TO220-3-31 PG-TO2

Другие IGBT... SKB15N60, SKW15N60, SKW20N60, SKW30N60, SKB15N60HS, SKW20N60HS, IKB01N120H2, SKB06N60HS, GT30F126, IKB03N120H2, IKW03N120H2, IHW30N100R, IHW30N90R, IHW30N60T, IHW30N160R2, IHW40T120, IHW30N100T