Справочник IGBT. IKA03N120H2

 

IKA03N120H2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKA03N120H2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8.2 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 5.2 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IKA03N120H2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKA03N120H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  infineon
 ika03n120h2.pdf pdf_icon

IKA03N120H2

IKA03N120H2HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledHE diodeC Designed for:- TV Horizontal Line DeflectionGE 2nd generation HighSpeed-Technologyfor 1200V applications offers:- loss reduction in resonant circuits- temperature stable behavior- parallel switching capability- tight parameter distributionPG-TO220-3-31PG-T

 0.1. Size:767K  infineon
 ika03n120h2g.pdf pdf_icon

IKA03N120H2

IKA03N120H2HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Designed for: - TV Horizontal Line Deflection GE 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution PG-TO220-3-31 PG-TO2

Другие IGBT... SKB15N60 , SKW15N60 , SKW20N60 , SKW30N60 , SKB15N60HS , SKW20N60HS , IKB01N120H2 , SKB06N60HS , RJP63F3DPP-M0 , IKB03N120H2 , IKW03N120H2 , IHW30N100R , IHW30N90R , IHW30N60T , IHW30N160R2 , IHW40T120 , IHW30N100T .

 

 
Back to Top

 


 
.