Справочник IGBT. IKB03N120H2

 

IKB03N120H2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKB03N120H2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K03H1202
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3.9 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 5.2 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 22 nC
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IKB03N120H2

 

 

IKB03N120H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  infineon
 ikb03n120h2.pdf

IKB03N120H2 IKB03N120H2

IKB03N120H2HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledHE diodeC Designed for frequency inverters for washingmachines, fans, pumps and vacuum cleanersGE 2nd generation HighSpeed-Technologyfor 1200V applications offers:- loss reduction in resonant circuits- temperature stable behavior- parallel switching capability- tight parame

 ..2. Size:405K  infineon
 ikb03n120h2 .pdf

IKB03N120H2 IKB03N120H2

IKB03N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimize

Другие IGBT... SKW15N60 , SKW20N60 , SKW30N60 , SKB15N60HS , SKW20N60HS , IKB01N120H2 , SKB06N60HS , IKA03N120H2 , RJH30E2DPP , IKW03N120H2 , IHW30N100R , IHW30N90R , IHW30N60T , IHW30N160R2 , IHW40T120 , IHW30N100T , IHW30N90T .

 

 
Back to Top