Справочник IGBT. IHW30N60T

 

IHW30N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW30N60T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H30T60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 108 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 167 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHW30N60T

 

 

IHW30N60T Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKW20N60HS , IKB01N120H2 , SKB06N60HS , IKA03N120H2 , IKB03N120H2 , IKW03N120H2 , IHW30N100R , IHW30N90R , IRGP4063D , IHW30N160R2 , IHW40T120 , IHW30N100T , IHW30N90T , IHW40N60T , IHW40T60 , IHW40N60R , IHW25N120R2 .