IHW40N60T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IHW40N60T  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 303 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 113 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IHW40N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHW40N60T даташит

 ..1. Size:454K  infineon
 ihw40n60t.pdf pdf_icon

IHW40N60T

IHW40T60 TrenchStop Series q Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop -technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Features C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum junction temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E Trench and fieldstop technology for 600 V applications offers - very tight parameter distribution

 0.1. Size:378K  infineon
 ihw40n60t-d20rev2 3.pdf pdf_icon

IHW40N60T

IHW40N60T Soft Switching Series q Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop -technology with anti-parallel diode Features C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggednes

 6.1. Size:788K  infineon
 ihw40n60rf ver2 3g.pdf pdf_icon

IHW40N60T

IHW40N60RF IH-series Reverse conducting IGBT C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only G E TrenchStop technology applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low V CEsat Low EMI Qualified according to JEDEC J-STD-020 and JESD-022 for

 6.2. Size:792K  infineon
 ihw40n60r 2 4.pdf pdf_icon

IHW40N60T

IHW40N60R IH-series Reverse conducting IGBT C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only G E TrenchStop technology applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low V CEsat - easy parallel switching capability due to positive temperature coeffici

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKW03N120H2, IHW30N100R, IHW30N90R, IHW30N60T, IHW30N160R2, IHW40T120, IHW30N100T, IHW30N90T, SGT50T65FD1PN, IHW40T60, IHW40N60R, IHW25N120R2, IHD10N60RA, IHW30N120R2, IHD06N60RA, IHW15T120, IHW20T120