IHW40N60T - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги IHW40N60T. Основные параметры


   Наименование: IHW40N60T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 303 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 113 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IHW40N60T

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHW40N60T даташит

 ..1. Size:454K  infineon
ihw40n60t.pdfpdf_icon

IHW40N60T

IHW40T60 TrenchStop Series q Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop -technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Features C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum junction temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E Trench and fieldstop technology for 600 V applications offers - very tight parameter distribution

 0.1. Size:378K  infineon
ihw40n60t-d20rev2 3.pdfpdf_icon

IHW40N60T

IHW40N60T Soft Switching Series q Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop -technology with anti-parallel diode Features C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggednes

 6.1. Size:788K  infineon
ihw40n60rf ver2 3g.pdfpdf_icon

IHW40N60T

IHW40N60RF IH-series Reverse conducting IGBT C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only G E TrenchStop technology applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low V CEsat Low EMI Qualified according to JEDEC J-STD-020 and JESD-022 for

 6.2. Size:792K  infineon
ihw40n60r 2 4.pdfpdf_icon

IHW40N60T

IHW40N60R IH-series Reverse conducting IGBT C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only G E TrenchStop technology applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low V CEsat - easy parallel switching capability due to positive temperature coeffici

Другие IGBT... IKW03N120H2 , IHW30N100R , IHW30N90R , IHW30N60T , IHW30N160R2 , IHW40T120 , IHW30N100T , IHW30N90T , IRG7R313U , IHW40T60 , IHW40N60R , IHW25N120R2 , IHD10N60RA , IHW30N120R2 , IHD06N60RA , IHW15T120 , IHW20T120 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.