Справочник IGBT. IHW40N60R

 

IHW40N60R - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW40N60R
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H40R60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 223 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHW40N60R

 

 

IHW40N60R Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IHW30N90R , IHW30N60T , IHW30N160R2 , IHW40T120 , IHW30N100T , IHW30N90T , IHW40N60T , IHW40T60 , IHW20N135R5 , IHW25N120R2 , IHD10N60RA , IHW30N120R2 , IHD06N60RA , IHW15T120 , IHW20T120 , IKW15N120T2 , IKW25N120T2 .