IHW40N60R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IHW40N60R
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: H40R60
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 223 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IHW40N60R
IHW40N60R Datasheet (PDF)
ihw40n60r 2 4.pdf
IHW40N60RIH-seriesReverse conducting IGBTCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation onlyGE TrenchStop technology applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capability due to positive temperature coeffici
ihw40n60r.pdf
IGBTReverse conducting IGBTIHW40N60RResonant Switching SeriesData sheetIndustrial Power ControlIHW40N60RResonant Switching SeriesReverse conducting IGBTCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applications offers:- very tight parameter distributionG- high ruggedness, temper
ihw40n60rf ver2 3g.pdf
IHW40N60RFIH-seriesReverse conducting IGBTCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation onlyGE TrenchStop technology applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat Low EMI Qualified according to JEDEC J-STD-020 and JESD-022 for
ihw40n60rf.pdf
IGBTReverse conducting IGBTIHW40N60RFResonant Switching SeriesData sheetIndustrial Power ControlIHW40N60RFResonant Switching SeriesReverse conducting IGBTCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applications offers:- very tight parameter distributionG- high ruggedness, temp
Другие IGBT... IHW30N90R , IHW30N60T , IHW30N160R2 , IHW40T120 , IHW30N100T , IHW30N90T , IHW40N60T , IHW40T60 , CRG60T60AN3H , IHW25N120R2 , IHD10N60RA , IHW30N120R2 , IHD06N60RA , IHW15T120 , IHW20T120 , IKW15N120T2 , IKW25N120T2 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DHG20T65D | G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2
Popular searches
2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620