Справочник IGBT. IHD06N60RA

 

IHD06N60RA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHD06N60RA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H06N60RA
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 42 nC
   Тип корпуса: TO252
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IHD06N60RA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:767K  infineon
 ihd06n60ra.pdf pdf_icon

IHD06N60RA

IHD06N60RASoft Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeC Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only TrenchStop technology applications offers:GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capability due to pos

 ..2. Size:819K  infineon
 ihd06n60ra 1 3.pdf pdf_icon

IHD06N60RA

IHD06N60RASoft Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeC Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only TrenchStop technology applications offers:GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capability due to pos

 5.1. Size:1918K  infineon
 aihd06n60r.pdf pdf_icon

IHD06N60RA

AIHD06N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution

Другие IGBT... IHW30N100T , IHW30N90T , IHW40N60T , IHW40T60 , IHW40N60R , IHW25N120R2 , IHD10N60RA , IHW30N120R2 , SGT50T65FD1PN , IHW15T120 , IHW20T120 , IKW15N120T2 , IKW25N120T2 , IKW40N120T2 , SKB10N60A , IKI04N60T , IHW20N120R3 .

History: IXGK120N60B | GT50JR22 | RJH60M6DPQ-A0

 

 
Back to Top

 


 
.