IHW20T120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IHW20T120
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: H20T120
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 78 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IHW20T120
IHW20T120 Datasheet (PDF)
ihw20t120 d09g.pdf

IHW20T120 Soft Switching Series Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Short circuit withstand time 10s Designed for : - Soft Switching Applications G - Induction Heating E Trenchstop and Fieldstop technology for 1200 V applications offers: - very tight parameter d
ihw20t120.pdf

IHW20T120 Soft Switching Series Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Short circuit withstand time 10s Designed for : - Soft Switching Applications G - Induction Heating E Trenchstop and Fieldstop technology for 1200 V applications offers: - very tight parameter d
ihw20n120r3 rev2 5g.pdf

IHW20N120R3IH-seriesThermal ResistanceParameter Symbol Conditions Max. Value UnitCharacteristicIGBT thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseDiode thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseThermal resistanceR - 40 K/Wjunction - ambientElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwise specifiedElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwi
ihw20n135r5.pdf

IHW20N135R5Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Offers high breakdown voltage of 1350V for improved reliability Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology offering:G- very tight parameter distributionE- high ruggedness, temperature stable behav
Другие IGBT... IHW40N60T , IHW40T60 , IHW40N60R , IHW25N120R2 , IHD10N60RA , IHW30N120R2 , IHD06N60RA , IHW15T120 , GT30F131 , IKW15N120T2 , IKW25N120T2 , IKW40N120T2 , SKB10N60A , IKI04N60T , IHW20N120R3 , IHW15N120R3 , IKP04N60T .
History: IGW40T60
History: IGW40T60



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242