IHW20N120R3 datasheet, аналоги, основные параметры

IHW20N120R3 - это высоковольтный IGBT-транзистор, предназначенный для эффективной коммутации в системах средней и высокой мощности. Устройство рассчитано на напряжение коллектор-эмиттер 1200В и постоянный ток коллектора около 40А, что делает его пригодным для промышленной силовой электроники. Этот IGBT оснащен trench-затвором и технологией field-stop, которая значительно снижает потери при переключении и повышает эффективность, особенно в топологиях с жесткой коммутацией. Низкий уровень Vce(sat) способствует снижению потерь на электропроводность, а оптимизированный режим работы по остаточному току повышает производительность систем с ШИМ-управлением. IHW20N120R3 широко используется в электроприводах, источниках бесперебойного питания, сварочном оборудовании, инверторных системах.

Наименование: IHW20N120R3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.48 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IHW20N120R3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHW20N120R3 даташит

 ..1. Size:794K  infineon
 ihw20n120r3 rev2 5g.pdf pdf_icon

IHW20N120R3

IHW20N120R3 IH-series Thermal Resistance Parameter Symbol Conditions Max. Value Unit Characteristic IGBT thermal resistance, R - 0.48 K/W junction - case Diode thermal resistance, R - 0.48 K/W junction - case Thermal resistance R - 40 K/W junction - ambient Electrical Characteristic, at T = 25 C, unless otherwise specified Electrical Characteristic, at T = 25 C, unless otherwi

 ..2. Size:1861K  infineon
 ihw20n120r3.pdf pdf_icon

IHW20N120R3

Resonant Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode IHW20N120R3 Data sheet Industrial Power Control IHW20N120R3 Resonant Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applications offers - very tight

 4.1. Size:551K  infineon
 ihw20n120r2 h20r1202.pdf pdf_icon

IHW20N120R3

H20R1202 H20R1202 IHW20N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications G E offers - very tight parameter distribution - hig

 4.2. Size:1903K  infineon
 ihw20n120r5.pdf pdf_icon

IHW20N120R3

Resonant Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode IHW20N120R5 Data sheet Industrial Power Control IHW20N120R5 Resonant Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation TRENCHSTOPTM technology offering - very tight parameter distri

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IHD06N60RA, IHW15T120, IHW20T120, IKW15N120T2, IKW25N120T2, IKW40N120T2, SKB10N60A, IKI04N60T, GT45F122, IHW15N120R3, IKP04N60T, IKP06N60T, IKP10N60T, IKP15N60T, IKP20N60T, SKP02N60, SKP04N60